單項(xiàng)選擇題關(guān)于FET之?dāng)⑹?,下列何者為非?(?/strong>

A.是一壓控組件
B.是單極性組件
C.輸入阻抗很低
D.沒有抵補(bǔ)(offset)電壓是一個(gè)很好的開關(guān)組件


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1.單項(xiàng)選擇題有關(guān)MOSFET下列何者為非?()

A.輸入阻抗極低,有極高扇出數(shù)
B.集成電路所占體積小
C.O”是指二氧化硅層
D.可作雙向?qū)ΨQ開關(guān)

2.單項(xiàng)選擇題場效晶體管的放大電路中,何種組態(tài)的輸出信號為反相?()

A.共源極(CS)
B.共汲極(CD)
C.共閘極(CG)
D.以上皆非

3.單項(xiàng)選擇題

如圖所示的電路為N信道空乏型MOSFET的偏壓電路,設(shè)VDD=+24V,RD=1.2kΩ,RG=10MΩ,MOSFET的IDSS=9mA,VP=-4.5V,則直流偏壓值為何?()

A.VGS=4.5V,ID=9mA
B.VGS=-4.5V,ID=4.5mA
C.VGS=0V,VGS=18.6V
D.VGS=0V,VDS=4.5V
E.VGS=0V,VDS=13.2V

5.單項(xiàng)選擇題制作晶體管時(shí),各接腳區(qū)的摻雜濃度為()

A.E>B>C
B.B>E>C
C.E>C>B
D.C>E>B