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問答題分析比較CMOS工藝中LOCOS和STI兩種隔離技術(shù)的各自特點(diǎn)。

1.問答題在VLSI中，為什么要采用Cu互連及多層金屬化技術(shù)？

因?yàn)镃u的互連線電阻率低，介質(zhì)層介電常數(shù)小。
多層互連對VLSI的意義：1提高集成度；2降低互連延遲3降低成本

2.問答題什么是分辨率？如何提高分辨率？

3.問答題簡要說明正膠和負(fù)膠的關(guān)光刻原理與特性。

4.問答題為什么說光刻是IC制造中最重要的工藝？光刻的三個(gè)要素是什么？

5.問答題簡述PECVD技術(shù)的工藝原理、工藝特征及工藝應(yīng)用。