單項(xiàng)選擇題下列哪個(gè)雜質(zhì)允許在硅中存在的?()
A.Cu
B.C
C.Na
D.O
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1.多項(xiàng)選擇題微電子產(chǎn)業(yè)的特點(diǎn)有()。
A.對(duì)材料及產(chǎn)品可靠性要求高
B.制造環(huán)境要求高
C.商品壽命短
D.技術(shù)含量高,人才需要大
2.多項(xiàng)選擇題發(fā)明集成電路的公司有()。
A.英偉達(dá)
B.仙童半導(dǎo)體
C.英特爾
D.德州儀器
3.單項(xiàng)選擇題麒麟980芯片采用的工藝水平是()。
A.10nm
B.5nm
C.7nm
D.9nm
4.單項(xiàng)選擇題?形成B的超淺結(jié)摻雜(劑量為QB)時(shí),為了避免溝道效應(yīng)可否先注入銻(劑量為QSb)再注入硼?實(shí)際注入了多少硼?()
A.可以,實(shí)際注硼:QB
B.不可以
C.可以,實(shí)際注硼:QB+QSb
D.可以,實(shí)際注硼:QB-QSb
5.單項(xiàng)選擇題在離子注入摻雜時(shí),有少部分雜質(zhì)進(jìn)入襯底后穿過較大距離,這種現(xiàn)象就是()。當(dāng)偏離晶向()ψc注入時(shí),可以避免。
A.橫向效應(yīng),>
B.橫向效應(yīng),<
C.溝道效應(yīng),<
D.溝道效應(yīng),>
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三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
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