單項選擇題在離子注入摻雜時，有少部分雜質(zhì)進入襯底后穿過較大距離，這種現(xiàn)象就是（）。當(dāng)偏離晶向（）ψc注入時，可以避免。
A.橫向效應(yīng)，>
B.橫向效應(yīng)，<
C.溝道效應(yīng)，<
D.溝道效應(yīng)，>
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1.多項選擇題?關(guān)于氧化速率下面哪種描述是正確的？（）
A.有雜質(zhì)（如Na、P等）存在，氧化速率降低
B.生長十幾nm厚的柵氧化層時，服從線性氧化速率
C.溫度升高氧化速率迅速增加
D.（111）硅比（100）硅氧化得快
2.單項選擇題在硅片晶向、摻雜類型介紹中，由硅片斷裂邊形成的角度是60o可知硅片是什么晶向？（）
A.（100）
B.（111）
C.（110）
D.（211）
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當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：單項選擇題