A.（100）B.（111）C.（110）D.（211）
最新試題
CMP的設備構(gòu)成包括（）。
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
互連工藝中AL的制備可選用（）。
消除鳥嘴效應的方法有（）。
光刻工藝的設備核心是（）。
碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。