中国新疆XXXXXL19D,五十度灰2

填空題在硅表面LPCVD-Si₃N₄之前，都會先熱生長薄氧化層，它被稱為（）層。

1.填空題?鋁膜作為器件的內(nèi)電極，有抗電遷移性（）的特點(diǎn)。

2.填空題干法刻蝕的方式主要有：濺射刻蝕、等離子體刻蝕、（）刻蝕三種。

3.填空題多組分多源蒸發(fā)的方法有：同時蒸發(fā)，（）蒸發(fā)兩種。

4.填空題制備TiO₂等介質(zhì)薄膜可以采用（）濺射方法。

5.填空題在硅片上熱氧化0.5μm厚的氧化層時，硅片增厚了（）μm。