單項(xiàng)選擇題麒麟980芯片采用的工藝水平是（）。
A.10nm
B.5nm
C.7nm
D.9nm
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1.單項(xiàng)選擇題?形成B的超淺結(jié)摻雜（劑量為QB）時(shí)，為了避免溝道效應(yīng)可否先注入銻（劑量為QSb）再注入硼？實(shí)際注入了多少硼？（）
A.可以，實(shí)際注硼：QB
B.不可以
C.可以，實(shí)際注硼：QB+QSb
D.可以，實(shí)際注硼：QB-QSb
2.單項(xiàng)選擇題在離子注入摻雜時(shí)，有少部分雜質(zhì)進(jìn)入襯底后穿過(guò)較大距離，這種現(xiàn)象就是（）。當(dāng)偏離晶向（）ψc注入時(shí)，可以避免。
A.橫向效應(yīng)，>
B.橫向效應(yīng)，<
C.溝道效應(yīng)，<
D.溝道效應(yīng)，>
3.多項(xiàng)選擇題?關(guān)于氧化速率下面哪種描述是正確的？（）
A.有雜質(zhì)（如Na、P等）存在，氧化速率降低
B.生長(zhǎng)十幾nm厚的柵氧化層時(shí)，服從線性氧化速率
C.溫度升高氧化速率迅速增加
D.（111）硅比（100）硅氧化得快
4.單項(xiàng)選擇題在硅片晶向、摻雜類(lèi)型介紹中，由硅片斷裂邊形成的角度是60o可知硅片是什么晶向？（）
A.（100）
B.（111）
C.（110）
D.（211）
最新試題
厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
芯片粘接的工藝過(guò)程包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。
題型：判斷題
摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱(chēng)為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題