單項(xiàng)選擇題?形成B的超淺結(jié)摻雜（劑量為QB）時(shí)，為了避免溝道效應(yīng)可否先注入銻（劑量為QSb）再注入硼？實(shí)際注入了多少硼？（）
A.可以，實(shí)際注硼：QB
B.不可以
C.可以，實(shí)際注硼：QB+QSb
D.可以，實(shí)際注硼：QB-QSb
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1.單項(xiàng)選擇題在離子注入摻雜時(shí)，有少部分雜質(zhì)進(jìn)入襯底后穿過(guò)較大距離，這種現(xiàn)象就是（）。當(dāng)偏離晶向（）ψc注入時(shí)，可以避免。
A.橫向效應(yīng)，>
B.橫向效應(yīng)，<
C.溝道效應(yīng)，<
D.溝道效應(yīng)，>
2.多項(xiàng)選擇題?關(guān)于氧化速率下面哪種描述是正確的？（）
A.有雜質(zhì)（如Na、P等）存在，氧化速率降低
B.生長(zhǎng)十幾nm厚的柵氧化層時(shí)，服從線性氧化速率
C.溫度升高氧化速率迅速增加
D.（111）硅比（100）硅氧化得快
3.單項(xiàng)選擇題在硅片晶向、摻雜類型介紹中，由硅片斷裂邊形成的角度是60o可知硅片是什么晶向？（）
A.（100）
B.（111）
C.（110）
D.（211）
最新試題
下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
摻雜后，退火的目的是（）。
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
互連工藝中AL的制備可選用（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題