半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)問答題每日一練(2019.07.22)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題什么是擴散效應(yīng)？什么是自摻雜效應(yīng)？這兩個效應(yīng)使得襯底/外延界面雜質(zhì)分布有怎樣的變化？

參考答案：擴散效應(yīng)是指襯底中的雜質(zhì)與外延層中的雜質(zhì)，在外延生長時互相擴散，引起襯底與外延層界面附近雜質(zhì)濃度的緩慢變化。擴散效應(yīng)對界...

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2.問答題簡述電子束光刻的光柵掃描方法和矢量掃描方法有何區(qū)別。

參考答案：在光柵掃描方法中，每一個像素必須被逐次掃描。這樣，曝光時間幾乎與圖形無關(guān)，圖形就是通過打開和關(guān)閉快門寫出來的。而已經(jīng)開發(fā)...

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3.問答題 Si-SiO₂界面電荷有哪幾種？簡述其來源及處理辦法。

參考答案：可動離子電荷Q_m來源：主要來源于Na+等網(wǎng)絡(luò)改變者。解決辦法：為了降低Na+的玷污，可以在工藝過程...

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4.問答題對于某種薄膜的CVD過程，淀積溫度為900℃，質(zhì)量傳輸系數(shù)hG=10cms-1，表面反應(yīng)速率系數(shù)ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1?，F(xiàn)有以下兩種淀積系統(tǒng)可供選擇（1）冷壁，石墨支座型；（2）熱壁，堆放硅片型。應(yīng)該選用哪種類型的淀積系統(tǒng)并簡述理由。

參考答案：反應(yīng)室類型熱壁：反應(yīng)室腔壁與硅片及支撐件同時加熱。一般為電阻絲加熱，可精確控制反應(yīng)腔溫度和均勻性。適合對溫度控制要求苛刻...

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5.問答題 下圖為硅外延生長速度對H₂中SiCL₄摩爾分量的函數(shù)曲線，試分析曲線走勢，并給出其變化的原因。

參考答案：SiCL₄濃度較小，SiCL₄被氫還原析出硅原子的速度遠(yuǎn)小于被釋放出來的硅原...

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