半導(dǎo)體芯片制造工章節(jié)練習(xí)(2020.06.07)

來(lái)源：考試資料網(wǎng)

1.問(wèn)答題浸沒(méi)式光刻機(jī)相對(duì)于傳統(tǒng)的光刻機(jī)有何不同。

參考答案：根據(jù)瑞利判據(jù)：要提高分辨率，可以通過(guò)增大數(shù)值孔徑NA來(lái)實(shí)現(xiàn)。傳統(tǒng)曝光設(shè)備在鏡頭與硅片之間的介質(zhì)是空氣，空氣的折射率是1；...

2 恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱為什么分布？（）

3 介質(zhì)隔離是以絕緣性能良好的電介質(zhì)作為“隔離墻”來(lái)實(shí)現(xiàn)電路中各元器件間彼此電絕緣的一種隔離方法。常用的電介質(zhì)是（）層。

4.問(wèn)答題哪種化學(xué)氣體經(jīng)常用來(lái)刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個(gè)步驟。

參考答案：多晶硅等離子刻蝕用的化學(xué)氣體通常是氯氣、溴氣或二者混合氣體。
刻蝕多晶硅的三步工藝：
1.預(yù)刻蝕，用于去...

5 二氧化硅在擴(kuò)散時(shí)能對(duì)雜質(zhì)起掩蔽作用進(jìn)行（）擴(kuò)散。

6.問(wèn)答題常用濺射技術(shù)有哪幾種，簡(jiǎn)述它們的工作原理和特點(diǎn)。

參考答案：直流濺射——惰性氣體，如氬，送入低壓下的濺射腔體，電壓加在電極上產(chǎn)生等離子體。加負(fù)直流電壓的的是...

7.問(wèn)答題解釋正性光刻和負(fù)性光刻的區(qū)別？為什么正膠是普遍使用的光刻膠？最常用的正膠是指哪些膠？

參考答案：正性光刻把與掩膜版上相同的圖形復(fù)制到硅片上，負(fù)性光刻把與掩膜版上圖形相反的圖形復(fù)制到硅片表面，這兩種基本工藝的主要區(qū)別在...

8.問(wèn)答題例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴(kuò)散的三個(gè)步驟。

參考答案：硅中固態(tài)雜質(zhì)擴(kuò)散的三個(gè)步驟：
（1）預(yù)淀積：表面的雜質(zhì)濃度濃度最高，并隨著深度的加大而減小，從而形成梯度。這種...

9.填空題熱分解化學(xué)氣相淀積二氧化硅是利用（）化合物，經(jīng)過(guò)熱分解反應(yīng)，在基片表面淀積二氧化硅。

參考答案：含有硅的化合物

10.問(wèn)答題光刻中采用步進(jìn)掃描技術(shù)獲得了什么好處？

參考答案：增大了曝光場(chǎng)，可以獲得較大的芯片尺寸，一次曝光可以多曝光些芯片，它還具有在整個(gè)掃描過(guò)程調(diào)節(jié)聚焦的能力。