填空題N型半導(dǎo)體中電子是多子,空穴是()。
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注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)?()
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下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)?()
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摻雜后退火時(shí)間一般在()。
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鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有()。
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當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層,開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為()。
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互連工藝中AL的制備可選用()。
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IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是()。
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CMP的設(shè)備構(gòu)成包括()。
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影響封裝芯片特性的溫度有()。
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下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子?()
題型:多項(xiàng)選擇題