填空題集成電路的特征尺寸有時(shí)也稱線寬，通常是指集成電路中半導(dǎo)體器件的（）。
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進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
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當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
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光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。
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多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
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常壓的硅外延方法有（）。
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摻雜后，退火的目的是（）。
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注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題