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判斷題步進光刻機的三個基本目標(biāo)是對準(zhǔn)聚焦、曝光和合格產(chǎn)量。

1.判斷題最早應(yīng)用在半導(dǎo)體光刻工藝中的光刻膠是正性光刻膠。

2.判斷題沒有CMP，就不可能生產(chǎn)甚大規(guī)模集成電路芯片。

3.判斷題旋涂膜層是一種傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)，在0.35μm及以上器件的制造中常普遍應(yīng)用于平坦化和填充縫隙。

4.判斷題20世紀(jì)90年代初期使用的第一臺CMP設(shè)備是用樣片估計拋光時間來進行終點檢測的。

5.判斷題CMP帶來的一個顯著的質(zhì)量問題是表面微擦痕。小而難以發(fā)現(xiàn)的微擦痕導(dǎo)致淀積的金屬中存在隱藏區(qū)，可能引起同一層金屬之間的斷路。