最新試題
定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低？高選擇比意味著什么？
題型：問答題
解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么？
題型：問答題
描述化學(xué)機(jī)械平坦化工藝。
題型：問答題
例出光刻的8個(gè)步驟，并對(duì)每一步做出簡要解釋。
題型：問答題
例舉雙大馬士革金屬化過程的10個(gè)步驟。
題型：問答題
干法刻蝕的目的是什么？例舉干法刻蝕同濕法刻蝕相比具有的優(yōu)點(diǎn)。干法刻蝕的不足之處是什么？
題型：問答題
描述RF濺射系統(tǒng)。
題型：問答題
哪種化學(xué)氣體經(jīng)常用來刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個(gè)步驟。
題型：問答題
給出投影掩模板的定義。投影掩模板和光掩模板的區(qū)別是什么？
題型：問答題
解釋發(fā)生刻蝕反應(yīng)的化學(xué)機(jī)理和物理機(jī)理。
題型：問答題