（1）對材料具有高的選擇比 （2）不會對器件帶來等離子體損傷 （3）設備簡單
最新試題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
摻雜后退火時間一般在（）。
進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
芯片粘接的工藝過程包括（）。
光刻工藝對準誤差包括（）。
消除鳥嘴效應的方法有（）。
化學機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）