問(wèn)答題離子注入后為什么要進(jìn)行退火？
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最新試題
例出光刻的8個(gè)步驟，并對(duì)每一步做出簡(jiǎn)要解釋。
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光刻中采用步進(jìn)掃描技術(shù)獲得了什么好處？
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描述RF濺射系統(tǒng)。
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哪種化學(xué)氣體經(jīng)常用來(lái)刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個(gè)步驟。
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什么是結(jié)深？
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給出投影掩模板的定義。投影掩模板和光掩模板的區(qū)別是什么？
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例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴(kuò)散的三個(gè)步驟。
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什么是阻擋層金屬？阻擋層材料的基本特征是什么？哪種金屬常被用作阻擋層金屬？
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什么是硅化物？難熔金屬硅化物在硅片制造業(yè)中重要的原因是什么？
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解釋光刻膠選擇比。要求的比例是高還是低？
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