最新試題
描述RF濺射系統(tǒng)。
題型:問答題
解釋離子束擴(kuò)展和空間電荷中和。
題型:問答題
例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴(kuò)散的三個步驟。
題型:問答題
解釋正性光刻和負(fù)性光刻的區(qū)別?為什么正膠是普遍使用的光刻膠?最常用的正膠是指哪些膠?
題型:問答題
離子源的目的是什么?最常用的離子源是什么?
題型:問答題
例舉并描述光刻中使用的兩種曝光光源。
題型:問答題
例舉出兩種光刻膠顯影方法。例舉出7種光刻膠顯影參數(shù)。
題型:問答題
例舉離子注入設(shè)備的5個主要子系統(tǒng)。
題型:問答題
描述化學(xué)機(jī)械平坦化工藝。
題型:問答題
例舉離子注入工藝和擴(kuò)散工藝相比的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。
題型:問答題