A.鍍金層小于2.5μm可進行一次搪錫處理,否則應(yīng)進行二次搪錫處理
B.鍍金引線使用錫鍋搪錫時,應(yīng)使用不同錫鍋進行,第一次搪錫的錫鍋只能用于鍍金引線的搪錫且應(yīng)經(jīng)常更換焊錫
C.鍍金引線、導線、各種接線端子的焊接部位不允許未經(jīng)除金處理直接焊接
D.鍍金引線鍍金時應(yīng)將所有引線部位搪錫或二次搪錫處理
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A.去除氧化層操作時應(yīng)防止電子元器件引線根部受損
B.可以使用W14-W28號金相砂紙單方向輕砂引線表面,直至去除氧化層,但不可將引線上的鍍層去除
C.距引線根部2mm~5mm的位置不進行去除氧化層操作
D.元器件引線氧化層去除后4h內(nèi)要搪錫完畢
A.夾頭鉗
B.醫(yī)用鑷子
C.無齒平頭鉗
D.尖嘴鉗
A.導線端頭采用冷剝時冷剝離工具鉗口與導線規(guī)格唯一
B.導線端頭不搪錫長度0.5mm~1mm
C.導線端頭處理后的導線應(yīng)及時進行裝焊,防止芯線氧化或損傷,影響焊接質(zhì)量
D.導線端頭處理可以使用冷剝剝線工具,應(yīng)選用可調(diào)鉗口并調(diào)至與導線規(guī)格相匹配
A.雙列直插集成電路
B.RJ24系列電阻
C.軸向引線二極管
D.CT4L系列電阻
A.280℃;250℃
B.280℃;260℃
C.270℃;250℃
D.300℃;280℃
最新試題
無極性電容、熔斷器、玻璃封裝二極管采用電烙鐵搪錫時,其搪錫溫度為();采用錫鍋搪錫時,其搪錫溫度為()
對元器件引線的氧化層去除,下述描述錯誤的是()
元器件若安裝在裸露電路之上,引線成形使元器件本體底部與裸露電路之間至少留有()的間隙,但最大距離一般不應(yīng)超過()
單面伸出的非軸向引線元器件的安裝地面與印制板表面之間的最小為(),最大值為()
扁平、帶狀、L型、翼形、圓形、扁圓形引線器件的焊接,引線根部(腳跟)距內(nèi)側(cè)焊盤邊緣的距離,應(yīng)不小于()
整件的裝配應(yīng)與()一致。
靜電對微電子生產(chǎn)的危害有()
J型引線器件的焊接,引線底部焊料填充高度,應(yīng)不大于()
電子元器件搪錫前應(yīng)使用()校直元器件引線,引線校直時不能有夾痕,引線表面應(yīng)無損傷。
手工焊接MOS集成電路時先焊接(),后焊接()