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最新試題
解釋光刻膠選擇比。要求的比例是高還是低？
描述RF濺射系統(tǒng)。
例出光刻的8個步驟，并對每一步做出簡要解釋。
什么是結(jié)深？
解釋離子束擴展和空間電荷中和。
給出投影掩模板的定義。投影掩模板和光掩模板的區(qū)別是什么？
例舉出兩種光刻膠顯影方法。例舉出7種光刻膠顯影參數(shù)。
解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么？
解釋鋁已經(jīng)被選擇作為微芯片互連金屬的原因。
定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低？高選擇比意味著什么？
