問(wèn)答題立式爐系統(tǒng)的五部分是什么？例舉并簡(jiǎn)單描述。
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1.問(wèn)答題熱生長(zhǎng)SiO2 – Si系統(tǒng)中的電荷有哪些？
2.問(wèn)答題影響氧化速度的因素有哪些？
3.問(wèn)答題描述熱氧化過(guò)程。
5.問(wèn)答題二氧化硅薄膜在集成電路中具有怎樣的應(yīng)用？
最新試題
例舉離子注入設(shè)備的5個(gè)主要子系統(tǒng)。
題型：?jiǎn)柎痤}
描述化學(xué)機(jī)械平坦化工藝。
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解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么？
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例出光刻的8個(gè)步驟，并對(duì)每一步做出簡(jiǎn)要解釋。
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例舉并描出旋轉(zhuǎn)涂膠的4個(gè)基本步驟。
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描述曝光波長(zhǎng)和圖像分辨率之間的關(guān)系。
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干法刻蝕的目的是什么？例舉干法刻蝕同濕法刻蝕相比具有的優(yōu)點(diǎn)。干法刻蝕的不足之處是什么？
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光學(xué)光刻中影響圖像質(zhì)量的兩個(gè)重要參數(shù)是什么？
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解釋離子束擴(kuò)展和空間電荷中和。
題型：?jiǎn)柎痤}
解釋正性光刻和負(fù)性光刻的區(qū)別？為什么正膠是普遍使用的光刻膠？最常用的正膠是指哪些膠？
題型：?jiǎn)柎痤}