集成電路技術(shù)綜合練習(xí)章節(jié)練習(xí)(2018.03.19)
來源：考試資料網(wǎng)參考答案：
被吸附雜質(zhì)的存在狀態(tài)：分子型、離子型、原子型
2.問答題將硅單晶棒制成硅片的過程包括哪些工藝？
參考答案：
包括：切斷、滾磨、定晶向、切片、倒角、研磨、腐蝕、拋光、清洗、檢驗。
3.問答題影響顯影的主要因素？
參考答案：
曝光時間、前烘的溫度和時間、光刻膠的膜厚、顯影液的濃度、顯影液的溫度、顯影液的攪動情況
參考答案：（1）常壓化學(xué)氣相淀積，這種工藝所需的系統(tǒng)簡單，反應(yīng)速度快，并特別適于介質(zhì)淀積，但是它的缺點是均勻性較差，氣體消耗量大，...
5.問答題鋁柵MOS工藝的缺點是什么？
參考答案：
制造源、漏極與制造柵極采用兩次掩膜步驟，不容易對齊
參考答案：
注氧隔離技術(shù)、鍵合減薄技術(shù)、智能剝離技術(shù)。
參考答案：由于晶體管的實際結(jié)構(gòu)不對稱，特別是在集成電路中，發(fā)射區(qū)嵌套在基區(qū)內(nèi)，基區(qū)嵌套在集電區(qū)內(nèi)，發(fā)射結(jié)比集電結(jié)小很多反向電流放大...
參考答案：SPICE模型是建立在電路基本元器件的工作機理和物理細(xì)節(jié)上優(yōu)點：可以精確的在電路器件一級仿真系統(tǒng)測試工作特性和驗證系統(tǒng)邏...
參考答案：
它的空穴遷移率低于硅的空穴遷移率
參考答案：
柵長、柵寬、柵指數(shù)
