判斷題晶體管的源漏區(qū)的摻雜采用自對(duì)準(zhǔn)技術(shù)，一次摻雜成功。
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
最新試題
在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。
題型：問答題
半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。
題型：多項(xiàng)選擇題
把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。
題型：問答題
說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。
題型：問答題
版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？
題型：問答題
集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。
題型：多項(xiàng)選擇題
根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
題型：問答題
編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？
題型：問答題
試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。
題型：問答題