問答題什么是擴散工藝？
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最新試題
雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。
題型：填空題
絕緣層材料質量影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。
題型：判斷題
第一塊集成電路發(fā)明于（）年。
題型：填空題
P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
題型：判斷題
理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產生一定厚度的耗盡層。
題型：判斷題
半導體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。
題型：填空題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。
題型：判斷題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題
（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。
題型：填空題