A.烘干區(qū)
B.預(yù)熱區(qū)
C.再流焊區(qū)
D.冷卻區(qū)
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A.10~15mm
B.15~25mm
C.25~40mm
D.40~60mm
A.260±10℃；3~3.5s
B.250±5℃；2s
C.250±5℃；3~3.5s
D.260~300℃；3~3.5s
A.0.75mm
B.1mm
C.1.6mm
D.2mm
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
A.鍍金層小于2.5μm可進(jìn)行一次搪錫處理，否則應(yīng)進(jìn)行二次搪錫處理
B.鍍金引線使用錫鍋搪錫時(shí)，應(yīng)使用不同錫鍋進(jìn)行，第一次搪錫的錫鍋只能用于鍍金引線的搪錫且應(yīng)經(jīng)常更換焊錫
C.鍍金引線、導(dǎo)線、各種接線端子的焊接部位不允許未經(jīng)除金處理直接焊接
D.鍍金引線鍍金時(shí)應(yīng)將所有引線部位搪錫或二次搪錫處理
最新試題
無(wú)引線元器件每個(gè)焊端下面的焊料厚度差異不大于（）
對(duì)元器件引線的氧化層去除，下述描述錯(cuò)誤的是（）
在制作線扎時(shí)，當(dāng)線扎直徑小于8mm時(shí)，綁扎間距一般為（）
再流焊設(shè)備內(nèi)部溫度均勻性應(yīng)良好，橫向溫差應(yīng)不超過(guò)（），爐內(nèi)溫度的控制精度應(yīng)在（）以內(nèi)。
無(wú)極性電容、熔斷器、玻璃封裝二極管采用電烙鐵搪錫時(shí)，其搪錫溫度為（）；采用錫鍋搪錫時(shí)，其搪錫溫度為（）
微分電路與阻容耦合電路的形狀是一樣的，二者區(qū)別是（）
在串聯(lián)調(diào)整型穩(wěn)壓電源中，采用了（）電路。
元器件貼裝可選用手工貼裝或設(shè)備貼裝，貼裝時(shí)應(yīng)保證焊端至少（）覆蓋焊盤(pán)。
元器件若安裝在裸露電路之上，引線成形使元器件本體底部與裸露電路之間至少留有（）的間隙，但最大距離一般不應(yīng)超過(guò)（）
晶體管電路中，電流分配公式是（）