R.K*入/NA 1，波長 入 2，數(shù)值孔徑NA 3，工藝因子K
最新試題
CMP的設備構成包括（）。
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質原子？（）
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
芯片粘接的工藝過程包括（）。
消除鳥嘴效應的方法有（）。