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【簡(jiǎn)答題】描述金屬?gòu)?fù)合層中用到的材料？
答案：
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【簡(jiǎn)答題】為什么晶體管柵結(jié)構(gòu)的形成是非常關(guān)鍵的工藝？更小的柵長(zhǎng)會(huì)引發(fā)什么問題？
答案：
因?yàn)樗俗畋〉臇叛趸瘜拥臒嵘L(zhǎng)以及多晶硅柵的刻印和刻蝕，而后者是整個(gè)集成電路工藝中物理尺度最小的結(jié)構(gòu)。多晶硅柵的寬度...
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【簡(jiǎn)答題】為什么要采用LDD工藝？它是如何減小溝道漏電流的？
答案：
溝道長(zhǎng)度的縮短增加了源漏穿通的可能性，將引起不需要的漏電流，所以需要采用LDD工藝。
輕摻雜漏注入使砷和BF<...
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【簡(jiǎn)答題】光刻和刻蝕的目的是什么？
答案：
光刻的目的是將電路圖形轉(zhuǎn)移到覆蓋于硅片表面的光刻膠上，而刻蝕的目的是在硅片上無(wú)光刻膠保護(hù)的地方留下永久的圖形。即將圖形轉(zhuǎn)...
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【簡(jiǎn)答題】離子注入后為什么要進(jìn)行退火？
答案：
推進(jìn)，激活雜質(zhì)，修復(fù)損傷。
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【簡(jiǎn)答題】離子注入前一般需要先生長(zhǎng)氧化層，其目的是什么？
答案：
氧化層保護(hù)表面免污染，免注入損傷，控制注入溫度。
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【簡(jiǎn)答題】例舉出芯片廠中6個(gè)不同的生產(chǎn)區(qū)域并對(duì)每一個(gè)生產(chǎn)區(qū)域做簡(jiǎn)單描述。
答案：
芯片廠中通常分為擴(kuò)散區(qū)、光刻區(qū)、刻蝕區(qū)、離子注入?yún)^(qū)、薄膜生長(zhǎng)區(qū)和拋光區(qū)6個(gè)生產(chǎn)區(qū)域：
①擴(kuò)散區(qū)是進(jìn)行高溫工藝及...
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【簡(jiǎn)答題】例舉出7種先進(jìn)封裝技術(shù)。
答案：
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【簡(jiǎn)答題】例舉并描述6種不同的塑料封裝形式。
答案：
6種不同的塑料封裝形式：
（1）雙列直插封裝（DIP）：典型有兩列插孔式管腳向下彎，穿過電路板上的孔。
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【簡(jiǎn)答題】例舉出兩種最廣泛使用的集成電路封裝材料。
答案：
兩種最廣泛使用的集成電路封裝材料是塑料封裝和陶瓷封裝。
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【簡(jiǎn)答題】例舉出傳統(tǒng)裝配的4個(gè)步驟。
答案：
傳統(tǒng)裝配的4個(gè)步驟：
1.背面減薄；
2.分片；
3.裝架；
4.引線鍵合。
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