半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)章節(jié)練習(xí)(2018.01.12)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題分別畫出單大馬士革和雙大馬士革工藝流程圖。

2.問答題影響外延薄膜的生長(zhǎng)速度的因素有哪些？

參考答案：1）溫度高溫區(qū)B區(qū)，生長(zhǎng)速率對(duì)溫度的變化不敏感，生長(zhǎng)速率由氣相質(zhì)量輸運(yùn)控制，并且對(duì)反應(yīng)室的幾何形狀和氣流有很大的依賴性。...

3.問答題說明影響氧化速率的因素。

參考答案：1）氧化劑分壓因?yàn)槠胶馇闆r下，SiO₂中氧化劑的濃度C0=HPg，而拋物型速率常數(shù)B=2D

4.問答題在光刻中，能夠在增加分辨率的同時(shí)增加聚焦深度嗎？為什么？

參考答案：不能！聚焦深度：在保持圖形聚焦的前提下，沿著光路方向晶圓片移動(dòng)的距離是聚焦深度——
，...

5.問答題 Si-SiO₂界面電荷有哪幾種？簡(jiǎn)述其來源及處理辦法。

參考答案：可動(dòng)離子電荷Q_m來源：主要來源于Na+等網(wǎng)絡(luò)改變者。解決辦法：為了降低Na+的玷污，可以在工藝過程...

6.問答題熱退火用于消除離子注入造成的損傷，溫度要低于雜質(zhì)熱擴(kuò)散的溫度，然而，雜質(zhì)縱向分布仍會(huì)出現(xiàn)高斯展寬與拖尾現(xiàn)象，解釋其原因。

參考答案：離子注入后會(huì)對(duì)晶格造成簡(jiǎn)單晶格損傷和非晶層形成；損傷晶體空位密度大于非損傷晶體，且存在大量間隙原子和其他缺陷，使擴(kuò)散系數(shù)...

7.問答題什么是擴(kuò)散效應(yīng)？什么是自摻雜效應(yīng)？這兩個(gè)效應(yīng)使得襯底/外延界面雜質(zhì)分布有怎樣的變化？

參考答案：擴(kuò)散效應(yīng)是指襯底中的雜質(zhì)與外延層中的雜質(zhì)，在外延生長(zhǎng)時(shí)互相擴(kuò)散，引起襯底與外延層界面附近雜質(zhì)濃度的緩慢變化。擴(kuò)散效應(yīng)對(duì)界...

8.問答題根據(jù)曝光方式的不同，光學(xué)光刻機(jī)可以分成幾類？各有什么優(yōu)缺點(diǎn)？

參考答案：根據(jù)曝光方式不同光學(xué)光刻機(jī)主要分為三種：接觸式，接近式，投影式。接觸式：接觸式光刻機(jī)是最簡(jiǎn)單的光刻機(jī)，曝光時(shí)，掩模壓在涂...

9.問答題簡(jiǎn)述電子束光刻的光柵掃描方法和矢量掃描方法有何區(qū)別。

參考答案：在光柵掃描方法中，每一個(gè)像素必須被逐次掃描。這樣，曝光時(shí)間幾乎與圖形無關(guān)，圖形就是通過打開和關(guān)閉快門寫出來的。而已經(jīng)開發(fā)...

10.問答題在干法刻蝕的終點(diǎn)檢測(cè)方法中，光學(xué)放射頻譜分析法最常見，簡(jiǎn)述其工作原理和優(yōu)缺點(diǎn)。

參考答案：光學(xué)放射頻譜分析是利用檢測(cè)等離子體中某種波長(zhǎng)的光線強(qiáng)度變化來達(dá)到終點(diǎn)檢測(cè)的目的。光強(qiáng)的變化反映了等離子體中原子或分子濃度...