問答題
采用CF4作為氣體源對(duì)SiO2進(jìn)行刻蝕，在進(jìn)氣中分別加入O2或H2對(duì)刻蝕速率有什么影響？隨著O2或H2進(jìn)氣量的增加，對(duì)Si和SiO2刻蝕選擇性怎樣變化？為什么？
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