最新試題
例出光刻的8個(gè)步驟,并對每一步做出簡要解釋。
題型:問答題
描述RF濺射系統(tǒng)。
題型:問答題
解釋離子束擴(kuò)展和空間電荷中和。
題型:問答題
光學(xué)光刻中影響圖像質(zhì)量的兩個(gè)重要參數(shù)是什么?
題型:問答題
定義刻蝕速率并描述它的計(jì)算公式。為什么希望有高的刻蝕速率?
題型:問答題
定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低?高選擇比意味著什么?
題型:問答題
解釋正性光刻和負(fù)性光刻的區(qū)別?為什么正膠是普遍使用的光刻膠?最常用的正膠是指哪些膠?
題型:問答題
例舉并描述光刻中使用的兩種曝光光源。
題型:問答題
例舉并描出旋轉(zhuǎn)涂膠的4個(gè)基本步驟。
題型:問答題
在硅片制造中光刻膠的兩種目的是什么?
題型:問答題