半導體芯片制造工半導體芯片制造高級工章節(jié)練習(2019.04.30)

來源：考試資料網(wǎng)

1.填空題微波混合集成電路是指工作頻率從300MHz～100kMHz的混合集成電路，可分為分布參數(shù)微波混合集成電路和（）微波混合集成電路兩類。

參考答案：集總參數(shù)

2.填空題硅片減薄腐蝕液為氫氟酸和硝酸系腐蝕液。砷化鎵片用（）系、氫氧化氨系蝕腐蝕液。

3.填空題釬焊密封工藝主要工藝條件有釬焊氣氛控制、溫度控制和密封腔體內(nèi)（）控制。

4.填空題在半導體制造工藝中往往把減薄、劃片、分片、裝片、內(nèi)引線鍵合和管殼封裝等一系列工藝稱為（）。

5 反應離子腐蝕是（）。

6.填空題二氧化硅的制備方法很多，其中最常用的是高溫（）、（）淀積、PECVD淀積。

參考答案：氧化；氣相

7 恒定表面源擴散的雜質(zhì)分布在數(shù)學上稱為（）分布。

8 pn結(jié)的擊穿電壓和反向漏電流既是晶體管的重要直流參數(shù)，也是評價（）的重要標志。

9.填空題外延層的遷移率低的因素有原材料純度（）；反應室漏氣；外延層的晶體（）；系統(tǒng)沾污等；載氣純度不夠；外延層晶體缺陷多；生長工藝條件不適宜。

參考答案：不夠；質(zhì)量差

10 變?nèi)荻O管的電容量隨（）變化。