半導體芯片制造工章節(jié)練習(2019.05.04)

來源：考試資料網

1 恒定表面源擴散的雜質分布在數學上稱為（）分布。

2.問答題一片硅片由0.3um厚的SiO₂薄膜覆蓋。所需數據見下表，玻爾茲曼常數k=1.38×10^-23。（1）在1200℃下，采用H₂O氧化，使厚度增加0.5um需要多少時間？。（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同樣的厚度需要多少時間？

3 金屬封裝主要用于混合集成電路封裝，外殼零件一般有底盤、管帽、引線和玻璃絕緣子組成。底盤、管帽和引線的材料常常是（）。

4.問答題寫出菲克第一定律和第二定律的表達式，并解釋其含義。

參考答案：費克第一定律：C雜質濃度；D擴散系數（單位為cm2/s）J材料凈流量（單位時間內流過單位面積的原子個數）解釋：如果在一個...

5.判斷題位錯就是由范性形變造成的，它可以使晶體內的一原子或離子脫離規(guī)則的周期排列而位移一段距離，位移區(qū)與非位移區(qū)交界處必有原子的錯位，這樣產生線缺陷稱為位錯。（）

6.問答題畫出側墻轉移工藝和self-aligned double patterning（SADP）的工藝流程圖。

7.填空題微波混合集成電路是指工作頻率從300MHz～100kMHz的混合集成電路，可分為分布參數微波混合集成電路和（）微波混合集成電路兩類。

8.問答題什么是離子分布的偏斜度和峭度，和標準高斯分布有什么區(qū)別？

參考答案：非對稱性常用偏斜度γ（skewness）表示：γ為負值表明雜質分布在表面一側的濃度增加，即x＜R...

9.填空題外延生長方法比較多，其中主要的有（）外延、（）外延、金屬有機化學氣相外延、分子束外延、（）、固相外延等。

參考答案：化學氣相；液相；原子束外延

10.判斷題液相外延的原理是飽和溶液隨著溫度的降低產生過飽和結晶。（）