半導(dǎo)體芯片制造工章節(jié)練習(xí)(2019.06.25)

來(lái)源：考試資料網(wǎng)

1.判斷題退火處理能使金絲和硅鋁絲的抗斷強(qiáng)度下降。（）

2.判斷題設(shè)備、試劑、氣瓶等所有物品不需經(jīng)嚴(yán)格清潔處理，可直接進(jìn)入凈化區(qū)。（）

3.填空題在半導(dǎo)體工藝中，硫酸常用于去除（）和配制（）等。

參考答案：光刻膠；洗液

4 平行縫焊的工藝參數(shù)有焊接電流、焊接速度、焊輪壓力和焊輪椎頂角。焊輪壓力影響蓋板和焊環(huán)之間高阻點(diǎn)的（）。壓力太大，電阻值下降，對(duì)形成焊點(diǎn)不利，焊輪壓力太小，則造成接觸不良，不但形不成良好點(diǎn)。

5.問(wèn)答題什么是擴(kuò)散效應(yīng)？什么是自摻雜效應(yīng)？這兩個(gè)效應(yīng)使得襯底/外延界面雜質(zhì)分布有怎樣的變化？

參考答案：擴(kuò)散效應(yīng)是指襯底中的雜質(zhì)與外延層中的雜質(zhì)，在外延生長(zhǎng)時(shí)互相擴(kuò)散，引起襯底與外延層界面附近雜質(zhì)濃度的緩慢變化。擴(kuò)散效應(yīng)對(duì)界...

6.問(wèn)答題說(shuō)明SiO₂的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，并簡(jiǎn)述結(jié)晶型SiO₂和無(wú)定形SiO₂的區(qū)別。

參考答案：結(jié)晶形SiO₂——由Si-O四面體在空間規(guī)則排列構(gòu)成每個(gè)頂角的O原子與兩個(gè)...

7 外殼設(shè)計(jì)包括（）設(shè)計(jì)、熱性能設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)三部分，而可靠性設(shè)計(jì)也包含在這三部分中間。

8.問(wèn)答題什么是固相外延（SPE）及固相外延中存在的問(wèn)題？

參考答案：固相外延是指半導(dǎo)體單晶上的非晶層在低于該材料的熔點(diǎn)或共晶點(diǎn)溫度下外延再結(jié)晶的過(guò)程。固相外延存在問(wèn)題—&mda...

9.填空題半導(dǎo)體材料可根據(jù)其性能、晶體結(jié)構(gòu)、結(jié)晶程度、化學(xué)組成分類(lèi)。比較通用的則是根據(jù)其化學(xué)組成可分為（）半導(dǎo)體、（）半導(dǎo)體、固溶半導(dǎo)體三大類(lèi)。

參考答案：元素；化合物

10.填空題用肉眼或顯微鏡可觀察二氧化硅的以下質(zhì)量：顏色（）、結(jié)構(gòu)（）；表面無(wú)（）、無(wú)（）、不發(fā)花；表面無(wú)裂紋、（）。

參考答案：是否均勻；是否致密；斑點(diǎn)；白霧；無(wú)針孔