最新試題
解釋離子束擴展和空間電荷中和。
題型：問答題
解釋正性光刻和負(fù)性光刻的區(qū)別？為什么正膠是普遍使用的光刻膠？最常用的正膠是指哪些膠？
題型：問答題
什么是阻擋層金屬？阻擋層材料的基本特征是什么？哪種金屬常被用作阻擋層金屬？
題型：問答題
敘述氮化硅的濕法化學(xué)去除工藝。
題型：問答題
例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴散的三個步驟。
題型：問答題
例舉離子注入工藝和擴散工藝相比的優(yōu)點和缺點。
題型：問答題
例舉雙大馬士革金屬化過程的10個步驟。
題型：問答題
例舉離子注入設(shè)備的5個主要子系統(tǒng)。
題型：問答題
例舉并描述光刻中使用的兩種曝光光源。
題型：問答題
光刻中采用步進掃描技術(shù)獲得了什么好處？
題型：問答題