半導(dǎo)體芯片制造工章節(jié)練習(xí)(2019.05.13)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題一片硅片由0.3um厚的SiO₂薄膜覆蓋。所需數(shù)據(jù)見下表，玻爾茲曼常數(shù)k=1.38×10^-23。（1）在1200℃下，采用H₂O氧化，使厚度增加0.5um需要多少時(shí)間？。（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同樣的厚度需要多少時(shí)間？

2.問答題說明影響氧化速率的因素。

參考答案：1）氧化劑分壓因?yàn)槠胶馇闆r下，SiO₂中氧化劑的濃度C0=HPg，而拋物型速率常數(shù)B=2D

3.問答題集成電路制造中有哪幾種常見的擴(kuò)散工藝？各有什么優(yōu)缺點(diǎn)？

參考答案：擴(kuò)散工藝分類：按原始雜質(zhì)源在室溫下的相態(tài)分類，可分為固態(tài)源擴(kuò)散，液態(tài)源擴(kuò)散和氣態(tài)源擴(kuò)散。固態(tài)源擴(kuò)散（1）.開管擴(kuò)散...

4.問答題應(yīng)力分為壓應(yīng)力和張應(yīng)力，下圖的形狀是由于哪種應(yīng)力產(chǎn)生的？請(qǐng)?jiān)趫D上標(biāo)出應(yīng)力的方向。如果要讓上面的結(jié)構(gòu)材料變得平整，要怎么做？

參考答案：張應(yīng)力（張的時(shí)候產(chǎn)生的應(yīng)力）與壓應(yīng)力（壓的時(shí)候產(chǎn)生的應(yīng)力）
在張應(yīng)力作用下，薄膜會(huì)相對(duì)襯底進(jìn)行...

5.填空題全定制、半定制版圖設(shè)計(jì)中用到的單元庫包含（）、（）、（）和（）。

參考答案：符號(hào)圖；抽象圖；線路圖；版圖

6.填空題在擴(kuò)散之前在硅表面先沉積一層雜質(zhì)，在整個(gè)過程中這層雜質(zhì)作為擴(kuò)散的雜質(zhì)源，不再有新的雜質(zhì)補(bǔ)充，這種擴(kuò)散方式稱為：（）

參考答案：恒定表面源擴(kuò)散

7.問答題 下圖為一個(gè)典型的離子注入系統(tǒng)。（1）給出1~6數(shù)字標(biāo)識(shí)部分的名稱，簡(jiǎn)述其作用。（2）闡述部件2的工作原理。

參考答案：1.離子源2.分析磁塊3.加速器4.中性束閘5.x&y掃描板6.法拉第杯
1.離子源作用：產(chǎn)生注入用的離子原理...

8.問答題影響外延薄膜的生長(zhǎng)速度的因素有哪些？

參考答案：1）溫度高溫區(qū)B區(qū)，生長(zhǎng)速率對(duì)溫度的變化不敏感，生長(zhǎng)速率由氣相質(zhì)量輸運(yùn)控制，并且對(duì)反應(yīng)室的幾何形狀和氣流有很大的依賴性。...

9.判斷題目前在半自動(dòng)化和自動(dòng)化的鍵合機(jī)上用的金絲或硅鋁絲都是經(jīng)生產(chǎn)廠家嚴(yán)格處理包裝后銷售，一般不能再退火，一經(jīng)退火反而壞了性能。（）

10.填空題芯片焊接質(zhì)量通常進(jìn)行鏡檢和（）兩項(xiàng)試驗(yàn)。

參考答案：剪切強(qiáng)度